| 3 апр 2014 г. — 7:31 по тихоокеанскому времени
Мэтт Марголис прогнозирует, что Apple перейдет с DDR3 на DDR4 RAM для будущих MacBook в этом году, что обеспечит более высокую производительность и улучшенное время автономной работы.
Micron, один из производителей ОЗУ Apple, заявляет, что пропускная способность DDR3 достигает примерно 17 ГБ/с, в то время как DDR4 стремится удвоить ее к 2015 году:
С момента выпуска iPhone индустрия отреагировала эволюционным переходом от LPDDR1 со скоростью 2,6 ГБ/с к LPDDR2 со скоростью 8,5 ГБ/с и LPDDR3 со скоростью 17 ГБ/с. Эта технология в настоящее время используется для питания современных высокопроизводительных устройств в массовом производстве. Пропускная способность DRAM примерно удвоилась с каждым поколением, чтобы удовлетворить спрос.
Следующее поколение ОЗУ с низким энергопотреблением (LPDRAM), также известное как LPDDR4, решает эти проблемы, удваивая пропускную способность LPDDR3 при сохранении энергопотребления на том же уровне. Например, LPDDR4 нацелена на общую пропускную способность 34 ГБ/с для подсистемы памяти x64, удваивая целевую пропускную способность по сравнению с LPDDR3
Компания не назвала конкретных целей по улучшению времени автономной работы, но заявила, что стремится снизить энергопотребление как в активном, так и в спящем режимах.
Марголис предполагает, что ОЗУ DDR4 может также использоваться в будущих iPhone и iPad.